第一百八十七章:硅晶

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对于这些科研人员的问题,韩元其实是理解的。

正如他昨天晚上想如何去进行缩小碳化硅晶材制备集成芯片一样。

一个合格的科学家,会永远保持对知识的好奇心。

这是人类进步的主要源泉。

但他不可能花费大量的时间去讲解这些东西,涉及到微观层面的知识实在是太过复杂。

如果要板书出来,一本教材都不一定能搞定,那耗费的时间也太长了。

唯一的方法,就是让这些人去看自己的直播视频了。

进入化学实验室,韩元将昨天制备好的碳化硅晶材取出来,又将其他材料准备好后,道:

“昨天我已经将碳化硅晶体管中的n-漂移层处理完成。”

“剩下的就是处理p阱、栅和漏三极了。”

“相对比集成芯片来说,晶体管的这些东西制作起来简单多了。”

“”

大致的说了一下今天的工作安排后,韩元也开始了处理手中材料。

制造碳化硅晶体管p阱他使用的是一块低掺杂的p型硅。

所谓的p型硅其实就是在制备过程中掺杂了一些硼的硅晶。

通过掺杂硼元素,在制造过程能在硅晶中产生的空穴。

掺杂的硼越多,导电能力也就越强,电阻率就越低。

这个就是npn和pnp晶体管中的p极。

至于这样材料,在一级任务中他并没有准备,毕竟当时谁能想到在二级任务中需要制造类似于芯片的晶体管呢?

不过好在制造p型硅的基础材料和所需要的仪器他都有。

至于如何提炼出高纯度的硅晶,对于他来说早就不是什么难事了。

当初新手任务中获取到的初级材料冶炼知识信息中就有合适的冶炼方式。